型號: | STB6NC90ZT4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 900V五(巴西)直| 5.4AI(四)|對252AA |
文件頁數(shù): | 7/10頁 |
文件大?。?/td> | 130K |
代理商: | STB6NC90ZT4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB70NFS03LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
STB70NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.0075 OHM - 60A D2PAK STRIPFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
STB70NF02LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
STB70NF03LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB6NK60Z_0711 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET |
STB6NK60Z-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB6NK60ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB6NK90Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900V - 1.56Ω - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET |