參數(shù)資料
型號(hào)： STGW30NB60HD
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： STGW30NB60HD
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-heatsink
Max
Max
Typ
0.66
30
0.1
o
C/W
oC/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
20 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
250
2000
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A
I
C
= 30 A
T
j
= 125
o
C
2.2
1.8
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 30 A
20
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
2300
250
60
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V
I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V
150
15
72
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480 V
T
j
= 150
o
C
R
G
=10
120
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 30 A
R
G
= 10
I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V
15
35
ns
ns
E
on
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
1000
1000
A/
μ
s
μ
J
STGW30NB60HD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW30NC120HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-CHANNEL IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW30NC120HD_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1200V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH TM IGBT
STGW30NC120HD_0710 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1200V - 30A - TO-247 very fast PowerMESH IGBT
STGW30NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 30A 600v IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW30NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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