參數資料
型號： STGW30NB60HD
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁數： 3/8頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： STGW30NB60HD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V
150
40
210
90
1.10
2.0
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V
250
70
250
160
1.6
2.65
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
f
I
fm
V
f
Forward Current
Forward Current pulsed
30
240
A
A
Forward On-Voltage
I
f
= 30 A
I
f
= 30 A
I
f
= 30 A
dI/dt = 100 A/
μ
S
T
j
= 125
o
C
V
R
= 100 V
T
j
= 125
o
C
1.7
1.55
2.0
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
(
) Pulse width limited by max. junction temperature
(
H
) Includerecovery losses on the STTA2006 freewheeling diode
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
116
406
7
nS
nC
A
Thermal Impedance
STGW30NB60HD
3/8
相關PDF資料
PDF描述
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
STGW30NC120HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-CHANNEL IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW30NC120HD_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1200V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH TM IGBT
STGW30NC120HD_0710 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1200V - 30A - TO-247 very fast PowerMESH IGBT
STGW30NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 30A 600v IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW30NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*