參數(shù)資料
型號(hào)： T431616E-7S
廠(chǎng)商： TM Technology, Inc.
英文描述： 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 17/74頁(yè)
文件大?。?/td> 781K
代理商： T431616E-7S
TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 17
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Absolute Maximum Rating
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OPR
Item
Rating
-5/6/7
- 1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
0 ~ 70
Unit
V
V
°
C
°
C
W
mA
Note
1
1
1
Input, Output Voltage
Power Supply Voltage
Operating Temperature
T
STG
Storage Temperature
- 55 ~ 125
1
P
D
I
OUT
Power Dissipation
Short Circuit Output Current
1
50
1
1
Recommended D.C. Operating Conditions (Ta = -0~70
°
C)
Symbol
Parameter
V
DD
Power Supply Voltage
V
DDQ
Power Supply Voltage(for I/O Buffer)
V
IH
LVTTL Input High Voltage
V
IL
LVTTL Input Low Voltage
Min.
3.0
3.0
2.0
- 0.3
Typ.
3.3
3.3
-
-
Max.
3.6
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
Note
2
2
2
2
Capacitance (V
DD
= 3.3V, f = 1MHz, Ta = 25
°
C)
Symbol
C
I
C
I/O
Parameter
Min.
2
4
Max.
5
7
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Note: These parameters are periodically sampled and are not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T431616E-7SG 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T436416A 4M X 16 SDRAM
T436416A-10S 4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
T436416A-6S 4M X 16 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T431616E-7SG 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T4322 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4323 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4333 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T43331G 制造商:BITECH 制造商全稱(chēng):Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks
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