型號(hào): | T431616E-7SG |
廠商: | TM Technology, Inc. |
英文描述: | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
中文描述: | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
文件頁(yè)數(shù): | 14/74頁(yè) |
文件大?。?/td> | 781K |
代理商: | T431616E-7SG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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T436416A | 4M X 16 SDRAM |
T436416A-10S | 4M X 16 SDRAM |
T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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T4322 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
T4323 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
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T43331J | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks |