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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616E-7SG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/74頁(yè) |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616E-7SG |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 44
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 12.3. Random Row Write (Interleaving Banks)
(Burst Length=8, CAS# Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
A11
t
CK3
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
DAx0 DAx1 DAx2 DAx3DAx4 DAx5
DAx6 DAx7 DBx0 DBx1
RAx
RAx
RAy
Write
Command
Bank A
Hi-Z
CAy
High
RBx
Precharge
Command
Bank B
DBx7
DBx2
DBx3 DBx4 DBx5 DBx6
CAx
CBx
RBx
RAy
t
RCD
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
DAy3
DAy0
DAy1 DAy2
t
WR*
t
RP
t
WR*
*
t
WR
> t
WR
(min.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T4322 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
| T4323 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
| T4333 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE |
| T43331G | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks |
| T43331J | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Thick Film Super Low Profile SIP Resistor Networks |
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