參數(shù)資料
型號(hào)： T436416A
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 4M X 16 SDRAM
中文描述： 4米× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 17/29頁(yè)
文件大?。?/td> 712K
代理商： T436416A
TE
CH
tm
Page Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.17
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 1 0 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
t
C C D
D Q M
D Q
:D o n 't c a re
R o w A c tiv e
(A -B n a k )
R e a d (A -
B n a k )
R e a d (A -
B n a k )
W rite (A -
B n a k )
W rite (A -
B n a k )
P re c h a rg e
(A -B n a k )
* N o te1
* N o te3
* N o te2
t
R C D
t
R D L
t
C D L
R a
C a 0
C b 0
C c 0
C d 0
Q a 0
Q a 1
Q a 0
Q a 1
Q b 0
Q b 0
Q b 1
Q b 2
Q b 1
D c 0
D c 1
D c 0
D c 1
D d 0
D d 1
D d 0
D d 2
*Note : 1. To write data before burst read ends, DQM should be asserted three cycle prior to write command to
avoid bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input,
t
RDL
before Row precharge, will be written.
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before
end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T436416A-10S 4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
T436416A-6S 4M X 16 SDRAM
T436416A-6SG 4M X 16 SDRAM
T436416A-7.5S 4M X 16 SDRAM
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參數(shù)描述
T436416A-10S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM
T436416A-6S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM
T436416A-6SG 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM
T436416A-7.5S 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM
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