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參數(shù)資料
| 型號： | T436416A |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | T436416A |
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TE
CH
tm
Active/ Precharge Power Down Mode @ CAS latency = 2, Butsr length = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
SS
SS
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.26
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
A10/AP
DQ
W E
DQM
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
:Don't care
Precharge
Pow er-
D ow n Entry
Precharge
Pow er-
D ow n Exit
Row A ctive
A ctive
Pow er-
D ow n Entry
A ctive
Pow er-
D ow n Exit
Read
Precharge
Qa0
Qa1
Qa2
Ra
Ca
Ra
t
SHZ
SS
tss
tss
tss
*Note1
*Note3
*Note2
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
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SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
*Note : 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK+
t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification.(64ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-10S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 4M X 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416A-10S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
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