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參數資料
| 型號： | T436416A |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16內存 |
| 文件頁數： | 9/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | T436416A |
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TE
CH
tm
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONAHIP TABLE
T436416A-6S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
60ns
42ns
166MHz(6.0ns)
3
10
7
143MHz(7.0ns)
3
9
6
125MHz(8.0ns)
2
9
6
111MHz(9.0ns)
2
7
5
100MHz(10.0ns)
2
7
5
T436416A-7S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
63ns
42ns
143MHz(7.0ns)
3
9
6
125MHz(8.0ns)
3
9
6
111MHz(9.0ns)
2
8
5
100MHz(10.0ns)
2
7
5
83MHz(12.0ns)
2
6
4
T436416A-7.5S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
65ns
45ns
133MHz(7.5ns)
3
9
6
125MHz(8.0ns)
3
9
6
111MHz(9.0ns)
2
8
5
100MHz(10.0ns)
2
7
5
83MHz(12.0ns)
2
6
4
T436416A-8S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
68ns
48ns
125MHz(8.0ns)
3
9
6
111MHz(9.0ns)
3
9
6
100MHz(10.0ns)
2
7
5
83MHz(12.0ns)
2
6
4
75MHz(13.0ns)
2
6
4
T436416A-10S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
70ns
50ns
100MHz(10.0ns)
2
7
5
83MHz(12.0ns)
2
7
5
75MHz(13.0ns)
2
6
4
66MHz(15.0ns)
2
6
4
60MHz(16.7ns)
2
5
3
Note : 1.
t
RDL
≥
16.7ns is recommended for T436416A
base
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.9
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
t
RP
18ns
3
3
3
2
2
t
RRD
12ns
2
2
2
2
2
t
RCD
16ns
3
3
2
2
2
t
CCD
6ns
1
1
1
1
1
t
CDL
6ns
1
1
1
1
1
t
RDL
12ns
2
2
2
2
2
CAS
t
RP
20ns
3
3
3
2
2
t
RRD
14ns
2
2
2
2
2
t
RCD
18ns
3
2
2
2
2
t
CCD
7ns
1
1
1
1
1
t
CDL
7ns
1
1
1
1
1
t
RDL
14ns
2
2
2
2
2
CAS
t
RP
20ns
3
3
3
2
2
t
RRD
15ns
2
2
2
2
2
t
RCD
18ns
3
3
2
2
2
t
CCD
7.5ns
1
1
1
1
1
t
CDL
7.5ns
1
1
1
1
1
t
RDL
15ns
2
2
2
2
2
CAS
t
RP
20ns
3
3
2
2
2
t
RRD
16ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
3
3
2
2
2
t
CCD
8ns
1
1
1
1
1
t
CDL
8ns
1
1
1
1
1
t
RDL
16ns
2
2
2
2
2
CAS
t
RP
20ns
2
2
2
2
2
t
RRD
20ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
2
2
2
2
2
t
CCD
10ns
1
1
1
1
1
t
CDL
10ns
1
1
1
1
1
t
RDL
20ns
2
2
2
2
Note 1
CAS
2. Clock count formula : clock
≥
period
clock
value
(round off whole number).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-10S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10SG | Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| T436416A-6S | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 4M X 16 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| T436416A-10S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-10SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416A-7.5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
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