- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣IC網(wǎng) > PDF目錄361344 > T436432B-55SG (TM Technology, Inc.) 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T436432B-55SG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 32內(nèi)存為512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/72頁(yè) |
| 文件大小： | 731K |
| 代理商： | T436432B-55SG |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)
TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 8
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE B
NOP
NOP
CLK
DQM
COMMAND
DQ's
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
DOUT A0
DINB0
DINB1
DINB2
Must be Hi-Z before
the Write Command
: "H" or "L"
Read to Write Interval (Burst Length
4, CAS# Latency = 3)
CLK
DQM
COMMAND
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ABANKA
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
1 Clk Interval
CAS# latency=2
tCK2, DQ's
: "H" or "L"
READ A
WRITE A
Read to Write Interval (Burst Length
≥
4, CAS# Latency = 2)
CLK
DQM
COMMAND
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
NOP
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
CAS# latency=2
tCK2, DQ's
: "H" or "L"
NOP
NOP
Read to Write Interval (Burst Length
≥
4, CAS# Latency = 2)
command to the same bank. The following figure shows the optimum time that BankPrecharge/ PrechargeAll
command is issued in different CAS# latency.
A read burst without the auto precharge function may be interrupted by a BankPrecharge/ PrechargeAll
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T494D156M025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494A334K025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494A334K035AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494B334K050AS | LED 5MM QUAD 5V RED PC MNT |
| T494A334M025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436432B-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。