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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T436432B-8SG |
| 廠(chǎng)商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 32內(nèi)存為512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 731K |
| 代理商： | T436432B-8SG |
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TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 41
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 12.1. Random Row Write (Interleaving Banks)
(Burst Length=8, CAS# Latency=1)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
BS0,1
t
CK1
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
DAx0
DAx1
DAx2Ax3
DAx4
DAx5DAx6 DAx7 DBx0 DBx1
RAx
RAx
RAy
Write
Command
Bank A
Hi-Z
CAy
High
RBx
Precharge
Command
Bank B
DBx7
DAy3
DBx2 DBx3DBx4 DBx5 DBx6
CAx
CBx
RBx
RAy
t
RCD
DAy0DAy1 DAy2
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
t
RP
t
WR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| T43D | 制造商:WELWYN 制造商全稱(chēng):Welwyn Components Limited 功能描述:High Voltage Precision Thick Film Resistors |
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