參數(shù)資料
型號(hào): TGF2021-08
英文描述: DC - 12 GHz Discrete power pHEMT
中文描述: 直流- 12吉赫的分立功率pHEMT制
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
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代理商: TGF2021-08
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2021-08
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
4
Linear Model for 1mm Unit pHEMT cell
Drain
Lg Rg
Cdg
Rd Ld
Rdg
Gate
Rgs
Cgs
R
i
+
v
i
-
gm v
i
Rds
Cds
Ls
Rs
Source
Source
Rp, Cp
Gate
Source
Source
Drain
UPC
UPC = 1mm Unit pHEMT Cell
8QLWS+(07FHOO
5HIHUHQFH3ODQH
MODEL
PARAMETER
Vd = 8V
Idq = 75mA
Vd = 8V
Idq = 100mA
Vd = 8V
Idq = 125mA
Vd = 10V
Idq = 75mA
Vd = 10V
Idq = 100mA
Vd = 12V
Idq = 75mA
UNITS
Rg
0.45
0.45
0.45
0.45
0.450
0.45
Rs
0.14
0.14
0.14
0.17
0.160
0.19
Rd
0.41
0.43
0.46
0.41
0.450
0.410
gm
0.310
0.318
0.314
0.296
0.303
0.286
S
Cgs
2.39
2.58
2.70
2.61
2.74
2.72
pF
Ri
1.22
1.19
1.20
1.24
1.23
1.27
Cds
0.20
0.201
0.201
0.198
0.199
0.196
pF
Rds
149.1
152.3
158.8
171.8
173.7
187.9
Cgd
0.115
0.107
0.101
0.101
0.098
0.096
pF
Tau
6.29
6.63
6.99
7.19
7.410
7.79
pS
Ls
0.009
0.009
0.009
0.009
0.010
0.010
nH
Lg
0.089
0.089
0.089
0.089
0.089
0.089
nH
Ld
0.120
0.120
0.120
0.120
0.120
0.120
nH
Rgs
33000
33000
35100
28900
35700
24400
Rgd
349000
425000
405000
305000
366000
238000
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TGF2021-12 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-12GHz 12mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-06 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 0.6mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-12 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-24 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: