參數(shù)資料
型號： TGF2022-60
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
中文描述： 0 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： 0.57 X 2.93 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-18
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： TGF2022-60
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2022-60
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
3
TABLE III
RF CHARACTERIZATION TABLE 1/
(T
A
= 25
°
C, Nominal)
SYMBOL
PARAMETER
f = 10 GHz
f = 18 GHz
UNITS
Vd = 10V
Idq = 448 mA
Vd = 12V
Idq = 448 mA
Vd = 10V
Idq = 448 mA
Vd = 12V
Idq = 448 mA
Power Tuned:
Psat
PAE
Gain
Rp 2/
Cp 2/
Γ
L
3/, 4/
Saturated Output Power
Power Added Efficiency
Power Gain
Parallel Resistance
Parallel Capacitance
Load Reflection
coefficient
38.8
51.6
12.3
3.34
3.812
0.922
∠
176.3
39.4
50
7.8
4.13
3.607
0.916
∠
140.4
37.6
42
12.1
3.41
3.151
0.952
∠
176.2
38.1
38
7.6
4.00
3.473
0.955
∠
175.9
dBm
%
dB
pF
-
Efficiency
Tuned:
Psat
PAE
Gain
Rp 2/
Cp 2/
Γ
L
3/, 4/
Saturated Output Power
Power Added Efficiency
Power Gain
Parallel Resistance
Parallel Capacitance
Load Reflection
coefficient
37.6
57.0
12.4
6.68
4.425
0.942
∠
173.6
39.0
53.8
12.4
6.49
3.947
0.931
∠
173.3
37.2
44.0
7.9
4.01
3.566
0.957
∠
175.9
37.9
41.0
7.6
4.49
3.736
0.962
∠
175.8
dBm
%
dB
pF
-
1/ Values in this table are from measurements taken from a 0.75mm unit pHEMT cell at 10 and 18 GHz
2/ Large signal equivalent pHEMT output network
3/ Optimum load impedance for maximum power or maximum PAE at 10 and 18 GHz
4 The reflection coefficients for this device have been calculated from the scaled large signal Rp & Cp.
The series resistance and inductance (Rd and Ld) shown in the Figure on page 4 is excluded
TABLE IV
THERMAL INFORMATION
Parameter
Test Conditions
T
CH
(
o
C)
T
JC
(
q
C/W)
T
M
(HRS)
θ
JC
Thermal Resistance
(channel to backside of carrier)
Vd = 12 V
Idq = 448 mA
Pdiss = 8.96 W
146
14.2
1.4E+6
Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil CuMo
Carrier at 70
°
C baseplate temperature.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TGF2023-10 功能描述:射頻GaAs晶體管 10mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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