參數(shù)資料
型號： TGF2022-60
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
中文描述： 0 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： 0.57 X 2.93 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-18
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： TGF2022-60
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2022-60
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
4
Drain
Lg Rg
Cdg
Rd Ld
Rdg
Gate
Rgs
Cgs
R
i
+
v
i
-
gm v
i
Rds
Cds
Ls
Rs
Source
Source
Rp, Cp
Linear Model for 0.75 mm Unit pHEMT cell
MODEL
PARAMETER
Vd = 8V
Id = 56mA
Vd = 8V
Id = 75mA
Vd = 8V
Id = 94mA
Vd = 10V
Id = 56mA
Vd = 10V
Id = 75mA
Vd = 12V
Id = 56mA
UNITS
Rg
0.18
0.19
0.19
0.20
0.20
0.21
Rs
0.31
0.31
0.31
0.36
0.35
0.40
Rd
0.41
0.43
0.44
0.41
0.42
0.40
gm
0.242
0.25
0.25
0.23
0.24
0.227
S
Cgs
1.86
2.019
2.12
2.04
2.15
2.13
pF
Ri
1.33
1.28
1.28
1.36
1.32
1.38
Cds
0.143
0.144
0.144
0.142
0.143
0.142
pF
Rds
195.83
199.07
206.30
224.73
225.77
244.05
Cgd
0.090
0.084
0.079
0.080
0.077
0.076
pF
Tau
5.94
6.24
6.55
6.82
6.99
7.37
pS
Ls
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
nH
Lg
0.103
0.103
0.103
0.102
0.103
0.102
nH
Ld
0.110
0.109
0.108
0.108
0.108
0.108
nH
Rgs
3920
5200
7250
5940
5700
6180
Rgd
54900
61900
76900
64100
78100
77000
UPC = 0.75mm Unit pHEMT Cell
Gate
Source
Source
Drain
UPC
8QLWS+(07FHOO
5HIHUHQFH3ODQH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF2961-SD Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 8.3 to 9.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
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參數(shù)描述
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TGF2023-05 功能描述:射頻GaAs晶體管 5.0mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-10 功能描述:射頻GaAs晶體管 10mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-20 功能描述:射頻GaAs晶體管 20mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
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