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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TGF4230 |
| 廠商： | TriQuint Semiconductor,Inc. |
| 英文描述： | 1.2mm Discrete HFET |
| 中文描述： | 1.2mm的離散異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | TGF4230 |
TGF4230-EEU
2
EXAMPLE OF
DC I-V CURVES
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0
1
2
3
4
Drain Voltage (V)
5
6
7
8
9
10
D
V
G
= 0.0 to -2.25 V
(0.25 V steps)
T
A
= 25°C
OUTPUT POWER VS.
INPUT POWER
16
18
20
22
24
26
28
30
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Input Power (dBm)
O
F = 8.5GHz
V
D
=8.0V
I
Q
=50mA*
T
A
=25°C
POWER ADDED
EFFICIENCY VS.
INPUT POWER
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Input Power (dBm)
P
F = 8.5GHz
V
D
=8.0V
I
Q
=50mA*
T
A
=25°C
Note: I
Q
is defined as the drain current before application of RF signal at the input.
TriQuint Semiconductor, Inc.
Texas Facilities
(972) 995-8465
www.triquint.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TGF4230-EEU | 1.2mm Discrete HFET |
| TGF4240 | 2.4mm Discrete HFET |
| TGF4240-EPU | 2.4mm Discrete HFET |
| TGF4240-SCC | 2.4 mm Discrete HFET |
| TGF4250-SCC | DC - 10.5 GHz Discrete HFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TGF4230-EEU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET |
| TGF4230-SCC | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 0.7W HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| TGF4240 | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:2.4mm Discrete HFET |
| TGF4240-EPU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:2.4mm Discrete HFET |
| TGF4240-SCC | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 1.4 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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