參數(shù)資料
型號(hào)： TGF4230
廠商： TriQuint Semiconductor,Inc.
英文描述： 1.2mm Discrete HFET
中文描述： 1.2mm的離散異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 178K
代理商： TGF4230
TGF4230-EEU
4
p
100
125
150
175
200
225
250
275
300
325
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Median Life (10^X Hours)
C
11415 years
PREDICTED CHANNEL
TEMPERATURE VS.
BASE TEMPERATURE
at 0.51 W and 1.02 W
dissipated power
HFET CHANNEL
TEMPERATURE VS.
MEDIAN LIFE
p
-100
-50
0
50
100
150
200
250
300
-100
-50
0
50
100
150
200
Base Temperature (° C)
C
0.51 W (soldered to carrier)
0.51 W (HFET backside metal)
1.02 W (soldered to carrier)
1.02 W (HFET backside metal)
Case 1: Base temperature at backside of carrier (with 38 m AuSn solder attach to 0.5 mm CuMo Carrier).
Case 2: Base temperature at backside of 1.2 mm HFET .
TriQuint Semiconductor, Inc.
Texas Facilities
(972) 995-8465
www.triquint.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF4230-EEU 1.2mm Discrete HFET
TGF4240 2.4mm Discrete HFET
TGF4240-EPU 2.4mm Discrete HFET
TGF4240-SCC 2.4 mm Discrete HFET
TGF4250-SCC DC - 10.5 GHz Discrete HFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4230-EEU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET
TGF4230-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 0.7W HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4240 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:2.4mm Discrete HFET
TGF4240-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:2.4mm Discrete HFET
TGF4240-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 1.4 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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