參數(shù)資料
型號： TGF4250-EEU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 4.8 mm Discrete HFET
中文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： DIE-12
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： TGF4250-EEU
TGF4250-EEU
2
EXAMPLE OF
DC I-V CURVES
p
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Drain Voltage (V)
D
V
G
= 0.0 to -2.25 V
(0.25 V steps)
T
A
=65°C
OUTPUT POWER
VS. INPUT POWER
20
22
24
26
28
30
32
34
36
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
Input Power (dBm)
O
F =8.5 GHz
V
D
=8.0 V
I
Q
=200 mA
T
A
=25°C
POWER ADDED
EFFICIENCY VS.
INPUT POWER
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
Input Power (dBm)
P
F =8.5 GHz
V
D
=8.0 V
I
Q
=200 mA
T
A
=25°C
* I
Q
is defined as the drain current before application of RF signal at the input.
*
TriQuint Semiconductor, Inc.
Texas Facilities
(972) 995-8465
www.triquint.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF4260-SCC 9.6 mm Discrete HFET
TGF4260 9.6mm Discrete HFET
TGF4260-EPU 9.6mm Discrete HFET
TGF4350 300um Discrete pHEMT
TGF4350-EPU 300um Discrete pHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4250-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4260 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:9.6mm Discrete HFET
TGF4260-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:9.6mm Discrete HFET
TGF4260-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 5 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4350 功能描述:射頻放大器 DC-22GHz 0.3mm pHEMT (0.25um) RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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