參數(shù)資料
型號： TGF4250-EEU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 4.8 mm Discrete HFET
中文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： DIE-12
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大小： 179K
代理商： TGF4250-EEU
MECHANICAL DRAWING
NOTES
7
TGF4250-EEU
1
2
3
4
6
12
10
9
8
11
7
5
R/C***
1.181
1.334
0.999
0.759
0.096
0.0
0.0
0.098
0.519
0.279
0.286
0.468
0.572
Bond pad 1 (gate): 0.075 x 0.075
Bond pad 2 (gate): 0.075 x 0.075
Bond pad 3 (gate): 0.075 x 0.075
Bond pad 4 (gate): 0.075 x 0.075
Bond pad 5 (gate): 0.075 x 0.075*
Bond pad 6 (gate): 0.075 x 0.075*
Bond pad 7 (drain): 0.089 x 0.089
Bond pad 8 (drain): 0.102 x 0.089
Bond pad 9 (drain): 0.102 x 0.089
Bond pad 10 (drain): 0.089 x 0.089
Bond pad 11 (drain): 0.089 x 0.089**
Bond pad 12 (drain): 0.089 x 0.089**
Units: millimeters
Thickness: 0.102
Chip size ± 0.0508
Gate bias supplies should be designed to sink or source gate current. The magnitude and direction of the gate
current is a function of bias point, load impedance, and drive level.
Space qualification is in progress; contact TriQuint for details.
Minimum connections to Bond Pads 1 to 4 and 7 to 10.
Sources are connected to backside metalization.
* Gate pad used when paralleling HFETS.
** Drain pad used when paralleling HFETS.
*** R/C denotes the row, column location of the device on the wafer.
TriQuint Semiconductor, Inc.
Texas Facilities
(972) 995-8465
www.triquint.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF4260-SCC 9.6 mm Discrete HFET
TGF4260 9.6mm Discrete HFET
TGF4260-EPU 9.6mm Discrete HFET
TGF4350 300um Discrete pHEMT
TGF4350-EPU 300um Discrete pHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4250-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4260 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:9.6mm Discrete HFET
TGF4260-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:9.6mm Discrete HFET
TGF4260-SCC 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 5 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4350 功能描述:射頻放大器 DC-22GHz 0.3mm pHEMT (0.25um) RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*