參數(shù)資料
型號： TIM1213-4L
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (X, Ku-Band)
中文描述： 低失真內(nèi)部匹配砷化鎵場效應(yīng)管（十，Ku波段）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： TIM1213-4L
2/4
MW50230196
TOSHIBA CORPORATION
TIM1213-4L
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
Package Outline (2-9D1A)
Handling Precautions for Packaged Type
Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds at 260
°
C.
Characteristic
Symbol
Unit
Rating
Drain-Source Voltage
V
DS
V
15
Gate-Source Voltage
V
GS
V
-5
Drain Current
I
DS
A
5.2
Total Power Dissipation (T
c
= 25
°
C)
P
T
W
30
Channel Temperature
T
ch
C
175
Storage Temperature
T
stg
C
-65~175
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PDF描述
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