參數(shù)資料
型號(hào)： TMS320DM365ZCE27
廠商： Texas Instruments
文件頁(yè)數(shù)： 16/210頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC DIGITAL MEDIA SOC 338NFBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： TMS320DM3x, DaVinci™
類型： 數(shù)字媒體片內(nèi)系統(tǒng)（DMSoC）
接口： EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，McBSP，SPI，UART，USB
時(shí)鐘速率： 270MHz
非易失內(nèi)存： ROM（16 kB）
芯片上RAM： 56kB
電壓 - 輸入/輸出： 1.8V，3.3V
電壓 - 核心： 1.20V
工作溫度： 0°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 338-LFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 338-NFBGA（13x13）
包裝： 托盤
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A1
A1
DDR2/mDDR
Controller
DDR2/mDDR
Device
RegionshouldencompassallDDR2/mDDRcircuitryandvaries
dependingonplacement.Non-DDR2/mDDRsignalsshouldnotbe
routedontheDDRsignallayerswithintheDDR2/mDDRkeepout
region.Non-DDR2/mDDRsignalsmayberoutedintheregion
providedtheyareroutedonlayersseparatedfromDDR2/mDDR
signallayersbyagroundlayer.Nobreaksshouldbeallowedinthe
referencegroundlayersinthisregion.Inaddition,the1.8Vpower
planeshouldcovertheentirekeepoutregion.
SPRS457E
– MARCH 2009 – REVISED JUNE 2011
Table 6-27. Placement Specifications
No.
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
1
X
1750
Mils
See Notes (1), (2)
2
Y
1280
Mils
See Notes (1), (2)
3
Y Offset
650
Mils
See Notes (1). (2),
(3)
4
DDR2/mDDR Keepout Region
See Note (4)
5
Clearance from non-DDR2/mDDR signal to DDR2/mDDR Keepout Region
4
w
See Note (5)
(1)
See Figure 6-19 for dimension definitions.
(2)
Measurements from center of DMSoC device to center of DDR2/mDDR device.
(3)
For single memory systems it is recommended that Y Offset be as small as possible.
(4)
DDR2/mDDR Keepout region to encompass entire DDR2/mDDR routing area
(5)
Non-DDR2/mDDR signals allowed within DDR2/mDDR keepout region provided they are separated from DDR2/mDDR routing layers by
a ground plane.
6.10.3.1.5 DDR2/mDDR Keep Out Region
The region of the PCB used for the DDR2/mDDR circuitry must be isolated from other signals. The
DDR2/mDDR keep out region is defined for this purpose and is shown in Figure 6-22. The size of this
region varies with the placement and DDR routing. Additional clearances required for the keep out region
are shown in Table 6-27.
Figure 6-22. DDR2/mDDR Keepout Region
112
Peripheral Information and Electrical Specifications
Copyright
2009–2011, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): TMS320DM365
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGM22DTAT-S189 CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
RS-2405D CONV DC/DC 2W 18-36VIN +/-05VOUT
RMM43DSXS CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
RSO-0515S CONV DC/DC 1W 4.5-9VIN 15VOUT
RMM43DRXS CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TMS320DM365ZCE30 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Dig Media System- on-Chip RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
TMS320DM365ZCED30 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Digital Media SOC RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
TMS320DM365ZCEF 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Dig Media System- on-Chip RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
TMS320DM367ZCED 制造商:Texas Instruments 功能描述:TMS320DM367ZCEF
TMS320DM367ZCED30 制造商:Texas Instruments 功能描述:TMS320DM367ZCEF
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