參數(shù)資料
型號： TPC6104
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： TPC6104
TPC6104
2004-07-06
6
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
T
t
Safe operating area
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
0.1
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
0.3
3
30
100
300
1000
Single pulse
Device mounted on a glass-
epoxy board (b) (Note 2b)
1
Device mounted on a glass-
epoxy board (a) (Note 2a)
10
0.001
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
30
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
10
1
3
100
30
*
: Single nonrepetitive pulse
Ta
=
25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature
ID max (pulsed)
*
10 ms
*
1 ms
*
VDSS max
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PDF描述
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