參數(shù)資料
型號： TPS1100YPW
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
中文描述： 單P溝道增強(qiáng)型MOSFET
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： TPS1100YPW
TPS1100, TPS1100Y
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
SLVS078C – DECEMBER 1993 – REVISED AUGUST 1995
8
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TYPICAL CHARACTERISTICS
– 6
– 4
– 2
0
0
2
3
5
– 8
GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
vs
GATE CHARGE
– 10
1
4
6
–
VG
Qg – Gate Charge – nC
VDS = –10 V
ID = –1 A
TJ = 25
°
C
Figure 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TPS1100Y CONNECTOR ACCESSORY
TPS1100YD CONNECTOR ACCESSORY
TPS1101YPW TELEPHONE CBL 8-CONDUCTOR1000
TPS1101DW CONNECTOR ACCESSORY
TPS1101PW CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TPS1101 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101_12 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101D 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TPS1101DG4 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TPS1101DR 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*