參數(shù)資料
型號(hào)： TSM1N60L_07
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 600V N-Channel Power MOSFET
中文描述： 600V的N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 345K
代理商： TSM1N60L_07
TSM1N60L
600V N-Channel Power MOSFET
5/7
Version: A07
SOT-252 Mechanical Drawing
Marking Diagram
Y
M
= Month Code
(
A
=Jan,
B
=Feb,
C
=Mar,
D
=Apl,
E
=May,
F
=Jun,
G
=Jul,
H
=Aug,
I
=Sep,
J
=Oct,
K
=Nov,
L
=Dec)
L
= Lot Code
= Year Code
TO-252 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.3BSC
4.6BSC
6.80
7.20
5.40
5.60
6.40
6.65
2.20
2.40
0.00
0.20
5.20
5.40
0.75
0.85
0.55
0.65
0.35
0.65
0.90
1.50
2.20
2.80
0.50
1.10
0.90
1.50
1.30
1.70
INCHES
MIN
0.09BSC
0.18BSC
0.268
0.213
0.252
0.087
0.000
0.205
0.030
0.022
0.014
0.035
0.087
0.020
0.035
0.051
DIM
MAX
A
A1
B
C
D
E
F
G
G1
G2
H
I
J
K
L
M
0.283
0.220
0.262
0.094
0.008
0.213
0.033
0.026
0.026
0.059
0.110
0.043
0.059
0.67
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM1N60L N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60LCH N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60LCP N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60S_07 600V N-Channel Power MOSFET
TSM1N60SCT 600V N-Channel Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM1N60LCH 功能描述:MOSFET 600V 1.0A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N60LCH C5 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
TSM1N60LCP 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N60LCP R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TSM1N60SCT 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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