參數(shù)資料
型號(hào)： UNRL114
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ML4-N1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： UNRL114
UNRL110/111/113/114/115
2
SJH00044AED
I
Electrical Characteristics(continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
High-level output voltage
V
OH
V
OL
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
4.9
V
Low-level output voltage
0.2
V
UNRL113
Transition frequency
f
T
R
1
80
MHz
Input resistance
UNRL111/114/115
30%
10
+
30%
k
UNRL110/113
47
Resistance ratio
UNRL111/113
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
UNRL114
0.17
0.21
0.25
Common characteristics chart
P
T
T
a
Characteristics charts of UNRL110
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
20
60
100
140
40
120
80
180
140
100
80
60
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
40
120
160
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.90.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
100
200
300
400
10
30
100
300
1
000
F
F
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNRL115 Silicon PNP epitaxial planer type
UP0411M Silicon PNP epitaxial planar type
UP04312 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
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參數(shù)描述
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UNRL210 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRL211 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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