參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2790GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： 開(kāi)關(guān)N溝道和P溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 198K
代理商： UPA2790GR
Data Sheet G16954EJ2V0DS
6
μ
PA2790GR
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
5
10
15
20
25
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
10 V
Pulsed
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
V
DS
= 10 V
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
V
DS
= 10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
I
D
= 3 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2791GR MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2791GR-E1-AT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2791GR-E2-AT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA505T N-CHANNEL/P-CHANNEL MOS FET 5-PIN 2 CIRCUITS
UPA621TT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA2790GR-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2790GR-E1-AT 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2790GR-E2-AT 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2791GR 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2791GR-E1-AT 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*