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參數(shù)資料
| 型號： | UPA2790GR |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 開關(guān)N溝道和P溝道功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | UPA2790GR |
Data Sheet G16954EJ2V0DS
9
μ
PA2790GR
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
-0.5
-1
-1.5
-2
V
GS
=
10 V
4.5 V
4.0 V
Pulsed
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
-1
-2
-3
-4
-5
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
V
DS
=
10 V
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
0
-1
-2
-3
-50
0
50
100
150
V
DS
=
10 V
I
D
= 1 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.1
1
10
100
-0.1
-1
-10
-100
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
V
DS
=
10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
50
100
150
200
250
300
-0.1
-1
-10
-100
V
GS
=
4.0 V
4.5 V
10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
50
100
150
200
250
300
0
-5
-10
-15
-20
I
D
=
3 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
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PDF描述 |
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