參數(shù)資料
型號： UPA2790GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： 開關(guān)N溝道和P溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： UPA2790GR
Data Sheet G16954EJ2V0DS
7
μ
PA2790GR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
10
20
30
40
50
-50
0
50
100
150
I
D
= 3 A
Pulsed
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
10 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
oss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
0.1
1
10
100
t
r
t
f
t
d(on)
t
d(off)
V
DS
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
I
D
- Drain Current - A
V
D
0
10
20
30
0
5
10
15
0
5
10
15
I
D
= 6 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 24 V
15 V
6 V
Q
G
- Gate Charge - nC
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
Pulsed
0 V
V
GS
= 10 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
t
r
1
10
100
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
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PDF描述
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