參數(shù)資料
型號(hào)： UPD442012AGY-DD10X-MJH
廠商： NEC Corp.
英文描述： 2M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
中文描述： 200萬(wàn)位CMOS靜態(tài)RAM 128K的字由16位溫度范圍
文件頁(yè)數(shù)： 13/24頁(yè)
文件大小： 148K
代理商： UPD442012AGY-DD10X-MJH
Data Sheet M14671EJ7V0DS
13
μ
PD442012A-X
Write Cycle (3/3) (DD version)
Parameter
Symbol
μ
PD442012A
μ
PD442012A
μ
PD442012A
Unit
Condition
-DD85X
-DD10X
-DD12X
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Write cycle time
t
WC
85
100
120
ns
/CE1 to end of write
t
CW1
70
80
100
ns
CE2 to end of write
t
CW2
70
80
100
ns
/LB, /UB to end of write
t
BW
70
80
100
ns
Address valid to end of write
t
AW
70
80
100
ns
Address setup time
t
AS
0
0
0
ns
Write pulse width
t
WP
55
60
85
ns
Write recovery time
t
WR
0
0
0
ns
Data valid to end of write
t
DW
35
40
60
ns
Data hold time
t
DH
0
0
0
ns
/WE to output in high impedance
t
WHZ
30
35
40
ns
Note
Output active from end of write
t
OW
5
5
5
ns
Note
The output load is 1TTL + 5 pF.
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PDF描述
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