參數(shù)資料
型號： UPD442012AGY-DD10X-MJH
廠商： NEC Corp.
英文描述： 2M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
中文描述： 200萬位CMOS靜態(tài)RAM 128K的字由16位溫度范圍
文件頁數(shù)： 18/24頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： UPD442012AGY-DD10X-MJH
Data Sheet M14671EJ7V0DS
18
μ
PD442012A-X
Low V
CC
Data Retention Characteristics (T
A
= –25 to +85
°
C)
Parameter
Symbol
Test Condition
μ
PD442012A
μ
PD442012A
μ
PD442012A
Unit
-BBxxX
-BCxxX
-DDxxX
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
Data retention
V
CCDR1
/CE1
≥
V
CC
0.2 V,
1.0
3.6
1.0
3.6
1.0
2.2
V
supply voltage
CE2
≥
V
CC
0.2 V
V
CCDR2
CE2
≤
0.2 V
1.0
3.6
1.0
3.6
1.0
2.2
V
CCDR3
/LB = /UB
≥
V
CC
0.2 V,
1.0
3.6
1.0
3.6
1.0
2.2
/CE1
≤
0.2 V, CE2
≥
V
CC
0.2 V
Data retention
I
CCDR1
V
CC
= 1.2 V, /CE1
≥
V
CC
0.2 V,
0.15
2
0.15
2
0.15
2
μ
A
supply current
CE2
≥
V
CC
0.2 V
I
CCDR2
V
CC
= 1.2 V, CE2
≤
0.2 V
0.15
2
0.15
2
0.15
2
I
CCDR3
V
CC
= 1.2 V, /LB = /UB
≥
V
CC
0.2 V,
0.15
2
0.15
2
0.15
2
/CE1
≤
0.2 V, CE2
≥
V
CC
0.2 V
Chip deselection
t
CDR
0
0
0
ns
to data retention
mode
Operation
t
R
t
RC
Note
t
RC
Note
t
RC
Note
ns
recovery time
Note
t
RC
: Read cycle time
#
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PDF描述
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