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參數(shù)資料
| 型號： | UPD4564163 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 31/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | UPD4564163 |
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Data Sheet E0149N10
31
μ
PD4564441, 4564841, 4564163
12. Burst Termination
There are two methods to terminate a burst operation other than using a Read or a Write command. One is the
burst stop command and the other is the precharge command.
12.1 Burst Stop Command
During a read cycle, when the burst stop command is issued, the burst read data are terminated and the data bus
goes to Hi-Z after the /CAS latency from the burst stop command.
Read
Command
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X
Q1
Q2
Q3
DQ
/CAS latency = 2
Hi-Z
Q1
Q2
Q3
DQ
/CAS latency = 3
Hi-Z
BST
Remark
BST: Burst stop command
During a write cycle, when the burst stop command is issued, the burst write data are terminated and data bus goes
to Hi-Z at the same clock with the burst stop command.
D2
D3
D4
Write
DQ
Command
/CAS latency = 2, 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X
BST
Hi-Z
D1
Remark
BST: Burst stop command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4564163G5 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564441 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564841 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD485505 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD485505G-25 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD4564163G5-A10B-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4564323G5-A10BL-9HJ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD45D128442G5C759LG | 制造商:NEC 功能描述:* |
| UPD4701AC-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702C-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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