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參數(shù)資料
| 型號： | UPD4564841G5 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 27/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | UPD4564841G5 |
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Data Sheet E0149N10
27
μ
PD4564441, 4564841, 4564163
10.2 Write with Auto Precharge
During a write cycle, the auto precharge starts at the timing that is equal to the value of the t
DPL (MIN.)
after the last
data word input to the device.
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DQ
Command
DQ
Command
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
(t
RAS
must be satisfied)
t
DPL(MIN.)
t
DPL(MIN.)
Remark
WRITA means Write with Auto Precharge
In summary, the auto precharge begins relative to a reference clock that indicates the last data word is valid.
In the table below, minus means clocks before the reference; plus means after the reference.
/CAS latency
Read
Write
2
–1
+t
DPL (MIN.)
3
–2
+t
DPL (MIN.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4564163 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564163G5 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564441 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564841 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD485505 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45D128442G5C759LG | 制造商:NEC 功能描述:* |
| UPD4701AC-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702C-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702G-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| uPD4704C(A) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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