參數(shù)資料
型號(hào)： UPD4564841G5
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
中文描述： 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL
文件頁數(shù)： 6/85頁
文件大小： 919K
代理商： UPD4564841G5
Data Sheet E0149N10
6
μ
PD4564441, 4564841, 4564163
[
μ
PD4564163]
54-pin Plastic TSOP (II) (10.16mm (400))
1M words
×
16 bits
×
4 banks
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
CC
LDQM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
A13
A12
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
Vss
DQ15
VssQ
DQ14
DQ13
VccQ
DQ12
DQ11
VssQ
DQ10
DQ9
VccQ
DQ8
Vss
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
A0 to A13
Note
: Address inputs
DQ0 to DQ15 : Data inputs / outputs
CLK
: Clock input
CKE
: Clock enable
/CS
: Chip select
/RAS
: Row address strobe
/CAS
: Column address strobe
/WE
: Write enable
LDQM
: Lower DQ mask enable
UDQM
: Upper DQ mask enable
V
CC
: Supply voltage
V
SS
: Ground
V
CC
Q
: Supply voltage for DQ
V
SS
Q
: Ground for DQ
NC
: No connection
Note
A0 to A11 : Row address inputs
A0 to A7 : Column address inputs
A12, A13 : Bank select
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4564163 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD4564163G5 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD4564441 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD4564841 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD485505 LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD45D128442G5C759LG 制造商:NEC 功能描述:*
UPD4701AC-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
UPD4702C-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
UPD4702G-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
uPD4704C(A) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
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