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參數(shù)資料
| 型號： | UPD46128512-X |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動指明內存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 34/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 817K |
| 代理商： | UPD46128512-X |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
34
μ
PD46128512-X
DC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Test condition
Density of
MIN.
TYP.
Note1
MAX.
Unit
data hold
Input leakage current
I
LI
V
IN
= 0 V to V
CC
–1.0
+1.0
μ
A
DQ leakage current
I
LO
V
DQ
= 0 V to V
CC
Q, /CE1 = V
IH
or
–1.0
+1.0
μ
A
/WE = V
IL
or /OE = V
IH
Operating supply
I
CCA1
/CE1 = V
IL
, I
DQ
= 0 mA,
Cycle time = 70 ns
60
mA
current
Asynchronous mode
Cycle time = 85 ns
50
I
CCA2
/CE1 = V
IL
, Frequency = 83 MHz, RL = 7,
50
mA
I
DQ
= 0 mA, burst length = 1,
Synchronous mode
Operating supply Burst
I
CCA3
/CE1 = V
IL
, Frequency = 83MHz, RL = 7,
30
mA
current
I
DQ
= 0 mA, burst length = Continuous
Standby supply current
I
SB1
/CE1
≥
V
CC
0.2 V, CE2
≥
V
CC
0.2 V
128M bits
Note2
80
250
μ
A
I
SB2
/CE1
≥
V
CC
0.2 V, CE2
≤
0.2 V
32M bits
Note2
T.B.D.
T.B.D.
16M bits
Note2
T.B.D.
T.B.D.
8M bits
Note2
T.B.D.
T.B.D.
0M bit
15
65
Output HIGH voltage
V
OH
I
OH
= –0.5 mA
0.8V
CC
Q
V
Output LOW voltage
V
OL
I
OL
= 1 mA
0.2V
CC
Q
V
Notes 1.
TYP. means reference value measured at T
A
= 25°C. This value is not a guarantee value.
2.
The current measured more than 30 ms after standby mode entry (/CE1 changes from LOW to HIGH).
It is specified as 2 mA (MAX.) in case of less than 30 ms after /CE1 transition.
Remark
V
IN
: Input voltage, V
DQ
: Input / Output voltage
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