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參數(shù)資料
| 型號： | UPD46128953-X |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 32-BIT ADDRESS / DATA MULTIPLEXED EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動指明內(nèi)存分詞由32位地址/數(shù)據(jù)復(fù)用溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 17/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 468K |
| 代理商： | UPD46128953-X |
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Preliminary Data Sheet M17506EJ1V1DS
17
μ
PD46128953-X
3. 4 Burst Read End
The memory output goes into a high impedance state after completion of the burst read operation of the eighth double
word. Therefore, no data is output from the memory even if CLK is kept input while /CE1 = LOW after the burst read
operation of 8 words has been completed.
Figure 3-3. Burst Read End
T9
T10
T11
CLK (Input)
/CE1 (Input)
/OE (Input)
A/DQ0 to A/DQ21 (Output)
High-Z
T12
T13
T14
T15
DQ22 to DQ31 (Output)
Q5
Q6
Q7
L
/ADV (Input)
H
t
AC
t
HZ
L
High-Z
Q5
Q6
Q7
Remark
Memory output goes into a high impedance state after the last data (Q7) read by the burst operation has
been output.
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PDF描述 |
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