參數(shù)資料
型號: UPD75236GJ
廠商: NEC Corp.
英文描述: DIODE ZENER SINGLE 500mW 75Vz 1.7mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 56Vr DO35-GLASS 5K/AMMO
中文描述: 4位單片機(jī)
文件頁數(shù): 16/190頁
文件大?。?/td> 1220K
代理商: UPD75236GJ
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當(dāng)前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁
16
μ
PD75236
2.
μ
PD75236 ARCHITECTURE AND MEMORY MAP
The
μ
PD75236 has the following three architectural features.
(a)
(b)
(c)
Data memory bank configuration
General register bank configuration
Memory mapped I/O
Each feature is outlined below.
2.1
DATA MEMORY BANK CONFIGURATION AND ADDRESSING MODE
As shown in Fig. 2-1, the
μ
PD75236 incorporates a static RAM (672 words
×
4 bits) at addresses 000H to
19FH and 200H to 2FFH in the data memory space and a display data memory (96 words
×
4 bits) at addresses
1A0H to 1FFH and peripheral hardware (input/output ports, timers, etc.) at addresses F80H to FFFH. For ad-
dressing of this 12-bit address data memory space, the memory bank has a configuration wherein the lower 8
bits are directly or indirectly specified by an instruction and the higher 4-bit address is specified by a memory
bank (MB).
A memory bank enable flag (MBE) and a memory bank select register (MBS) are incorporated to specify the
memory bank (MB) and addressing operations shown in Fig. 2-1 and Table 2-1 can be carried out. (MBS is a
register to select the memory bank and can set 0, 1, 2 and 15. MBE is a flag to determine whether the memory
bank selected by MBS should be validated or not. Since MBE is automatically saved/reset for interrupt or
subroutine processing, it can be freely set for either processing.)
For data memory space addressing, set MBE = 1 normally and manipulate the memory bank static RAM
specified by MBS. Efficient programming is possible by using the MBE = 0 or MBE = 1 mode for each program
processing.
Applicable Program Processing
G
G
Interrupt service
G
G
Processing of repeating built-in hardware manipulation and static RAM manipulation
G
G
Subroutine processing
MBE = 0 mode
MBE = 1 mode
G
G
Normal program processing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD75236 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER
UPD75516 4-BIT, SINGLE-CHIP CMOS MICROCOMPUTER WITH EXTENSIVE I/O AND A/D CONVERTER
UPD75516GF-637-3B9 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER
UPD75516GF-076 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER
UPD75516GF-079 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD753012AGC-P33-8BT-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPD753016AGC-P29-8BT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPD75304GF-407-3B9 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPD75306G182 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
UPD75308F478 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC