參數資料
型號： UPG2008TB-E3
廠商： NEC Corp.
英文描述： GaAs INTEGRATED CIRCUIT
中文描述： 砷化鎵集成電路
文件頁數： 7/10頁
文件大小： 60K
代理商： UPG2008TB-E3
Data Sheet PG10193EJ01V0DS
7
μ
PG2008TB
PACKAGE DIMENSIONS
6-PIN SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
0
0
0
0
+
–
0
+
–
2
1
0
0
1.25±0.1
2.1±0.1
0.1 MIN.
相關PDF資料
PDF描述
UPG2121TB L-BAND UP/DOWN CONVERTER
UPG2121TB-E3 SOCKET, CHASSIS, 10WAY; Connector type:Circular; Gender:Socket; Ways, No. of:10; Material, contact:Copper Alloy; Plating, contact:Gold; Series:MICRO BUCCANEER; Contact style:Socket; Mounting type:Panel; Approval Bodies:UL, CSA, VDE; RoHS Compliant: Yes
UPG2134TB-E3 L-BAND PA DRIVER AMPLIFIER
UPG2304TK-E2 L-BAND VCO LOCAL BUFFER AMPLIFIER
US5A10AS17K 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER FOR SMALL GENERAL-PURPOSE INFRARED REMOTE CONTROL TRANSMITTER
相關代理商/技術參數
參數描述
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UPG2008TK-A 功能描述:RF 開關 IC SPDT Dual Switch RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
UPG2008TK-E2 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:GaAs MMIC SPDT Switch
UPG2008TK-E2-A 功能描述:RF 開關 IC SPDT Dual Switch RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
UPG2009TB 功能描述:RF 開關 IC L S Band SPDT Switch RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關數量:Single 開關配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
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