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參數(shù)資料
| 型號： | V53C16256L |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 3.3 Volt 256K x 16 Fast Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 256Kx16快速頁面模式CMOS動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3伏256K × 16快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（3.3 256Kx16快速頁面模式的CMOS動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | V53C16256L |
6
V53C16256L Rev. 2.5 February 1999
MOSEL V ITELIC
V53C16256L
22
t
CH2QZ
t
HZ
OE or CAS to High-Z
Output
0
6
0
6
0
7
0
8
0
10
ns
16
23
t
RL1AX
t
AR
Column Address
Hold Time from RAS
28
30
35
40
50
ns
24
t
RL1AV
t
RAD
RAS to Column
Address Delay Time
11
17
12
20
13
23
14
26
15
30
ns
11
25
t
CL1RH1(W)
t
RSH (W)
RAS or CAS Hold
Time in Write Cycle
12
12
13
14
15
ns
26
t
WL1CH1
t
CWL
Write Command to
CAS Lead Time
12
12
13
14
15
ns
27
t
WL1CL2
t
WCS
Write Command
Setup Time
0
0
0
0
0
ns
12, 13
28
t
CL1WH1
t
WCH
Write Command
Hold Time
5
5
6
7
10
ns
29
t
WL1WH1
t
WP
Write Pulse Width
5
5
6
7
10
ns
30
t
RL1WH1
t
WCR
Write Command Hold
Time from RAS
28
30
35
40
50
ns
31
t
WL1RH1
t
RWL
Write Command to
RAS Lead Time
12
12
13
14
15
ns
32
t
DVWL2
t
DS
Data in Setup Time
0
0
0
0
0
ns
14
33
t
WL1DX
t
DH
Data in Hold Time
4
5
6
7
10
ns
14
34
t
WL1GL2
t
WOH
Write to OE
Hold Time
5
6
7
8
10
ns
14
35
t
GH2DX
t
OED
OE to Data
Delay Time
5
6
7
8
10
ns
14
36
t
RL2RL2
(RMW)
t
RWC
Read-Modify-Write
Cycle Time
105
110
115
130
170
ns
37
t
RL1RH1
(RMW)
t
RRW
Read-Modify-Write
Cycle RAS
Pulse Width
70
75
80
87
105
ns
38
t
CL1WL2
t
CWD
CAS to WE Delay
28
30
32
34
40
ns
12
39
t
RL1WL2
t
RWD
RAS to WE Delay in
Read-Modify-Write
Cycle
54
58
62
68
85
ns
12
40
t
CL1CH1
t
CRW
CAS Pulse Width
(RMW)
46
48
50
52
65
ns
41
t
AVWL2
t
AWD
Col. Address to WE
Delay
35
38
41
42
58
ns
12
42
t
CL2CL2
t
PC
Fast Page Mode
Read or Write
Cycle Time
21
23
25
28
35
ns
43
t
CH2CL2
t
CP
CAS Precharge Time
4
5
6
7
10
ns
#
JEDEC
Symbol
Symbol Parameter
35
40
45
50
60
Unit Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
AC Characteristics
(Cont’d)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V53C16256 | 256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C16256H | 256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C16256SH | 256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH |
| V53C16258H | HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH |
| V53C16258L | HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V53C16256SH | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256K X 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM WITH SELF REFRESH |
| V53C16258H | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH |
| V53C16258HK25 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH |
| V53C16258HK30 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH |
| V53C16258HK35 | 制造商:MOSEL 功能描述:New 制造商:Mosel Vitelic Corporation 功能描述: 制造商:Vitesse Semiconductor Corporation 功能描述: |
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