參數(shù)資料
型號： V827464K24SATGD3
廠商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.65 ns, DMA184
封裝： DIMM-184
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大?。?/td> 206K
代理商： V827464K24SATGD3
10
ProMOS TECHNOLOGIES
V827464K24SA
V827464K24SA Rev. 1.2 April 2006
AC Characteristics (AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Sym-
bol
(DDR400A)
D0
(DDR400B)
D3
(DDR333)
C0
(DDR266A)
B1
(DDR266B)
B0
Unit Note
Min
Max Min
Max
Row Cycle Time
tRC
60
-
60
-
60
-
65
-
65
-
ns
Auto Refresh Row Cycle Time
tRFC
70
-
70
-
72
-
75
-
75
-
ns
Row Active Time
tRAS
40
120K
40
120K
42
120K
45
120K
45
120K
ns
Row Address to Column Address De-
lay
tRCD
15
-
15
-
18
-
15
-
20
-
ns
Row Active to Row Active Delay
tRRD
10
-
10
-
12
-
15
-
15
-
ns
Column Address to Column Address
Delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Row Precharge Time
tRP
15
-
15
-
18
-
15
-
20
-
ns
Write Recovery Time
tWR
15
-
15
-
12
-
15
-
15
-
ns
Last Data-In to Read Command
tDRL
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Auto Precharge Write Recovery + Pre-
charge Time
tDAL
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
ns
System Clock
Cycle Time
CAS Latency = 3
tCK
5
12
5
12
-
12
-
12
-
12
ns
CAS Latency = 2.5
5
12
6
12
6
12
7
12
7.5
12
ns
CAS Latency = 2
7.5
12
7.5
12
7.5
12
7.5
12
10
12
ns
Clock High Level Width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CLK
Clock Low Level Width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CLK
Data-Out edge to Clock edge Skew
tAC
-0.65
0.65
-0.65
0.65
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.75
0.75
ns
DQS-Out edge to Clock edge Skew
tDQSCK -0.60 0.60 -0.60 0.60 -0.75 0.75 -0.75 0.75 -0.75 0.75
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge Skew tDQSQ
-
0.40
-
0.40
-
0.45
-
0.5
-
0.5
ns
Data-Out hold time from DQS
tQH
tHPmin
-0.75ns
-
tHPmin
-0.75ns
-
tHPmin
-0.75ns
-
tHPmin
- .75ns
-
tHPmin
- .75ns
-
ns
1
Clock Half Period
tHP
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
ns
1
Input Setup Time (fast slew rate)
tIS
0.6
-
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
ns
2,3,5,6
Input Hold Time (fast slew rate)
tIH
0.6
-
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
ns
2,3,5,6
Input Setup Time (slow slew rate)
tIS
0.75
-
0.75
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
ns
2,4,5,6
Input Hold Time (slow slew rate)
tIH
0.75
-
0.75
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
ns
2,4,5,6
Input Pulse Width
tIPW
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
2.2
-
2.2
-
ns
6
Write DQS High Level Width
tDQSH
0.35
CLK
Write DQS Low Level Width
tDQSL
0.35
CLK
CLK to First Rising edge of DQS-In
tDQSS
0.72
1.25
0.72
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
CLK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ &
DM)
tDS
0.40
-
0.40
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
ns
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V850E1 32-Bit Microprocessor Core
V902-FREQ VCXO, CLOCK, 65 MHz - 200 MHz, LVDS OUTPUT
V903-FREQ VCXO, CLOCK, 200 MHz - 730 MHz, LVDS OUTPUT
VB-24STBU POWER/SIGNAL RELAY, DPDT, MOMENTARY, 0.022A (COIL), 24VDC (COIL), 530mW (COIL), 5A (CONTACT), 150VDC (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
VB-24STCU-5 POWER/SIGNAL RELAY, DPDT, MOMENTARY, 0.022A (COIL), 24VDC (COIL), 530mW (COIL), 5A (CONTACT), 150VDC (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V827464N24S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2.5 VOLT 64M x 72 HIGH PERFORMANCE REGISTERED ECC DDR SDRAM MODULE
V8290 制造商:Visual Effects 功能描述:Mini Strobe Light 制造商:VISUAL EFFECTS 功能描述:MINI STROBE LIGHT
V82MA3A 功能描述:壓敏電阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel
V82MA3B 功能描述:壓敏電阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel
V82MA3S 功能描述:壓敏電阻 3MM Axial RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*