參數(shù)資料
型號： VND5E012AYTR-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 模擬信號調(diào)理
英文描述： SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝： ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁數(shù)： 12/37頁
文件大?。?/td> 924K
代理商： VND5E012AYTR-E
Contents
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
Contents
ECOPACK package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND5E012MY-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E012MYTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025ASTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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