參數(shù)資料
型號： VND5E012AYTR-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 模擬信號調(diào)理
英文描述： SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝： ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁數(shù)： 7/37頁
文件大?。?/td> 924K
代理商： VND5E012AYTR-E
VND5E012AY-E
Electrical specifications
Doc ID 13621 Rev 2
Figure 8.
Switching characteristics
Table 11.
Truth table
Conditions
Input
Output
Sense(VCSD=0V)(1)
1.
If the VCSD is high, the SENSE output is at a high impedance, its potential depends on leakage currents
and external circuit.
Normal operation
L
H
L
H
0
Nominal
Overtemperature
L
H
L
0
VSENSEH
Undervoltage
L
H
L
0
Overload
H
X
(no power limitation)
Cycling
(power limitation)
Nominal
VSENSEH
Short circuit to GND
(Power limitation)
L
H
L
0
VSENSEH
Open load off-state
(with external pull up)
LH
VSENSEH
Short circuit to VCC
(external pull up disconnected)
L
H
VSENSEH
< Nominal
Negative output voltage clamp
L
0
VOUT
dVOUT/dt(on)
tr
80%
10%
tf
dVOUT/dt(off)
td(off)
td(on)
INPUT
t
90%
tWon
tWoff
相關PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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