參數(shù)資料
型號(hào)： VND5E012AYTR-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 模擬信號(hào)調(diào)理
英文描述： SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝： ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁(yè)數(shù)： 3/37頁(yè)
文件大?。?/td> 924K
代理商： VND5E012AYTR-E
VND5E012AY-E
Electrical specifications
Doc ID 13621 Rev 2
tDSENSE1L
Delay Response
time from rising edge
of CS_DIS pin
VSENSE<4V, 1.5A<Iout<25A
ISENSE=10% of ISENSE max
(see fig Figure 4)
520
s
tDSENSE2H
Delay Response
time from rising edge
of INPUT pin
VSENSE<4V, 1.5A<Iout<25A
ISENSE=90% of ISENSE max
(see fig Figure 4)
70
300
s
ΔtDSENSE2H
Delay response time
between rising edge
of output current and
rising edge of
current sense
VSENSE <4V,
ISENSE = 90% of ISENSEMAX,
IOUT = 90% of IOUTMAX
IOUTMAX= 5A (see Figure 9)
300
s
tDSENSE2L
Delay Response
time from falling
edge of INPUT pin
VSENSE<4V, 1.5A<Iout<25A
ISENSE=10% of ISENSE max
(see fig Figure 4)
100
250
s
1.
Parameter guaranteed by design; it is not tested.
Table 8.
Open-load detection (8V<VCC<18V)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
VOL
Openload off-state
voltage detection
threshold
VIN = 0V
2
-
4
V
tDSTKON
Output short circuit to
Vcc detection delay at
turn-off
180
-
1200
s
IL(off2)r
Off-state output
current at VOUT = 4 V
VIN = 0 V; VSENSE = 0 V
VOUT rising from 0 V to 4 V
-120
-
90
A
IL(off2)f
Off-state output
current at VOUT = 2V
VIN = 0 V; VSENSE = VSENSEH
VOUT falling to VCC to 2 V
-50
-
90
A
Table 9.
Protections (1)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IlimH
DC Short circuit
current
VCC=13V
5V<VCC<18V
52
74
104
A
IlimL
Short circuit current
during thermal cycling
VCC=13V; TR<Tj<TTSD
18.5
A
TTSD
Shutdown
temperature
150
175
200
°C
TR
Reset temperature
TRS + 1 TRS + 5
°C
TRS
Thermal reset of
STATUS
135
°C
Table 7.
Current sense (8V<VCC<18V) (continued)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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VND5E012MYTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025ASTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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