參數(shù)資料
型號(hào): VND810MSP13TR
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述: 雙通道高邊驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù): 12/18頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商: VND810MSP13TR
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VND810SP
1
Overvoltage Shutdown
Turn-on Voltage Slope
Turn-off Voltage Slope
I
LIM
Vs T
case
Openload Off State Voltage Detection Threshold
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
Vov (V)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Vol (V)
Vin=0V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
dVout/dt(on) (V/ms)
Vcc=13V
Rl=13Ohm
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
dVout/dt(off) (V/ms)
Vcc=13V
Rl=13Ohm
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ilim (A)
Vcc=13V
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PDF描述
VND810SP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830ASP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND830ASP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
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參數(shù)描述
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VND810MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810P-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC STD VIPower 36V 3.5A Double Ch 160mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810PEP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube