參數(shù)資料
型號： VND810MSP13TR
廠商： 意法半導體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 雙通道高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 17/18頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： VND810MSP13TR
17/18
VND810SP
1
PowerSO-10
SUGGESTED PAD LAYOUT
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix “13TR”)
REEL DIMENSIONS
All dimensions are in mm.
Base Q.ty
Bulk Q.ty
A (max)
B (min)
C (
± 0.2)
F
G (+ 2 / -0)
N (min)
T (max)
600
600
330
1.5
13
20.2
24.4
60
30.4
TAPE DIMENSIONS
According to Electronic Industries Association
(EIA) Standard 481 rev. A, Feb 1986
All dimensions are in mm.
Tape width
Tape Hole Spacing
Component Spacing
Hole Diameter
Hole Diameter
Hole Position
Compartment Depth
Hole Spacing
W
24
4
24
1.5
1.5
11.5
6.5
2
P0 (± 0.1)
P
D (± 0.1/-0)
D1 (min)
F (± 0.05)
K (max)
P1 (± 0.1)
Top
cover
tape
End
Start
No components
No components
Components
500mm min
500mm min
Empty components pockets
saled with cover tape.
User direction of feed
6.30
10.8 - 11
14.6 - 14.9
9.5
1
2
3
4
5
1.27
0.67 - 0.73
0.54 - 0.6
10
9
8
7
6
B
A
C
All dimensions are in mm.
Base Q.ty Bulk Q.ty Tube length (
± 0.5)
50
1000
50
1000
A
B
C (± 0.1)
0.8
0.8
Casablanca
Muar
532
532
10.4 16.4
4.9 17.2
TUBE SHIPMENT (no suffix)
C
A
B
MUAR
CASABLANCA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND810SP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830ASP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND830ASP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND830LSP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830LSP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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參數(shù)描述
VND810MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810P-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC STD VIPower 36V 3.5A Double Ch 160mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810PEP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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