參數(shù)資料
型號: VND810MSP13TR
廠商: 意法半導體
英文描述: DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述: 雙通道高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù): 6/18頁
文件大小: 263K
代理商: VND810MSP13TR
6/18
VND810SP
1
1
ELECTRICAL TRANSIENT REQUIREMENTS ON V
CC
PIN
ISO T/R 7637/1
Test Pulse
TEST LEVELS
III
I
II
IV
Delays and
Impedance
2 ms 10
0.2 ms 10
0.1
μ
s 50
0.1
μ
s 50
100 ms, 0.01
400 ms, 2
1
2
3a
3b
4
5
-25 V
+25 V
-25 V
+25 V
-4 V
+26.5 V
-50 V
+50 V
-50 V
+50 V
-5 V
+46.5 V
-75 V
+75 V
-100 V
+75 V
-6 V
+66.5 V
-100 V
+100 V
-150 V
+100 V
-7 V
+86.5 V
ISO T/R 7637/1
Test Pulse
TEST LEVELS RESULTS
II
C
C
C
C
C
E
I
III
C
C
C
C
C
E
IV
C
C
C
C
C
E
1
2
C
C
C
C
C
C
3a
3b
4
5
CLASS
C
E
CONTENTS
All functions of the device are performed as designed after exposure to disturbance.
One or more functions of the device is not performed as designed after exposure and cannot be
returned to proper operation without replacing the device.
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PDF描述
VND810SP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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參數(shù)描述
VND810MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810P-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC STD VIPower 36V 3.5A Double Ch 160mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND810PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND810PEP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube