參數(shù)資料
型號(hào): VND830MSP13TR
廠(chǎng)商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述: 雙通道高邊驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù): 11/18頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商: VND830MSP13TR
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VND830SP
Input Hysteresis Voltage
Input Low Level
On State Resistance Vs T
case
On State Resistance Vs V
CC
Input High Level
Openload On State Detection Threshold
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ron (mOhm)
Iout=2A
Vcc=8V; 13V & 36V
5
10
15
20
25
30
35
40
Vcc (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Ron (mOhm)
Iout=5A
Tc= - 40°C
Tc=25°C
Tc=150°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
Iol (mA)
Vcc=13V
Vin=5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
Vih (V)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
Vil (V)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Vhyst (V)
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PDF描述
VND920P DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
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參數(shù)描述
VND830MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830P 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830P-E 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 Double Ch High Side 36V VCC 65mOhm 9.5A RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻(最大值):85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間(最大值):400 us 關(guān)閉時(shí)間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND830PEP 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER