參數(shù)資料
型號(hào)： VND830MSP13TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 雙通道高邊驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 13/18頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： VND830MSP13TR
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VND830SP
Maximum turn off current versus load inductance
A = Single Pulse at T
Jstart
=150oC
B= Repetitive pulse at T
Jstart
=100oC
C= Repetitive Pulse at T
Jstart
=125oC
Conditions:
V
CC
=13.5V
Values are generated with R
L
=0
In case of repetitive pulses, T
jstart
(at beginning of each demagnetization) of every pulse must not exceed
the temperature specified above for curves B and C.
V
IN
, I
L
t
Demagnetization
Demagnetization
Demagnetization
1
10
100
0.1
1
10
100
L(mH)
I
LMAX (A)
A
B
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND920P DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND920 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND92013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VNDB1CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | CHIP
VNDN1CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND830MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830P 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830P-E 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 Double Ch High Side 36V VCC 65mOhm 9.5A RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND830PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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