參數(shù)資料
型號(hào)： VND830MSP13TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 雙通道高邊驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 15/18頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： VND830MSP13TR
15/18
VND830SP
Thermal fitting model of a double channel HSD
in PowerSO-10
Pulse calculation formula
Z
TH
δ
=
δ
=
Thermal Parameter
Area/island (cm
2
)
R1 (°C/W)
R2 (°C/W)
R3( °C/W)
R4 (°C/W)
R5 (°C/W)
R6 (°C/W)
C1 (W.s/°C)
C2 (W.s/°C)
C3 (W.s/°C)
C4 (W.s/°C)
C5 (W.s/°C)
C6 (W.s/°C)
0.5
0.15
0.8
0.7
0.8
12
37
0.0006
2.10E-03
0.013
0.3
0.75
3
6
22
5
R
TH
δ
Z
THtp
1
δ
–
(
)
+
where
t
p
T
PowerSO-10 Thermal Impedance Junction Ambient Single Pulse
T_amb
Pd1
C1
R4
C3
C4
R3
R1
R6
R5
R2
C5
C6
C2
Pd2
R2
C1
C2
R1
Tj_1
Tj_2
0.1
0.0001
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Time (s)
ZTH (°C/W)
0.5 cm
2
6 cm
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND920P DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND920 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND92013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VNDB1CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | CHIP
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參數(shù)描述
VND830MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830P-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Double Ch High Side 36V VCC 65mOhm 9.5A RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND830PEP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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