參數(shù)資料
型號(hào)： W3HG256M72AER403AD6MG
廠商： WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240
封裝： ROHS COMPLIANT, RDIMM-240
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
文件大小： 256K
代理商： W3HG256M72AER403AD6MG
W3HG256M72AER-AD6
7
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
February 2007
Rev. 1
DDR2 SDRAM COMPONENT AC TIMING PARAMETERS & SPECIFICATION (Continued)
AC CHARACTERISTICS
SYMBOL
806
665
534
403
UNIT
Notes
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
Data
DQ output access time from
CK/CK#
tAC
TBD
-450
+450
-500
+500
-600
+600
ps
43
Data-out high-impedance
window from CK/CK#
tHZ
TBD
tAC (MAX)
ps
8, 9, 43
Data-out low-impedance
window from CK/CK#
tLZ1
TBD
tAC(MIN)
tAC(MAX)
tAC(MIN)
tAC(MAX)
tAC(MIN)
tAC(MAX)
ps
8, 10, 43
Data-out low-impedance
window from CK/CK#
tLZ2
TBD
2*
tAC(MIN)
tAC(MAX)
2*
tAC(MIN)
tAC(MAX)
2*
tAC(MIN)
tAC(MAX)
ps
DQ and DM input setup time
relative to DQS
tDSa
TBD
300
350
400
ps
7, 15,
19
DQ and DM input hold time
relative to DQS
tDHa
TBD
300
350
400
ps
DQ and DM input setup time
relative to DQS
tDSb
TBD
100
150
ps
DQ and DM input hold time
relative to DQS
tQHb
TBD
175
225
275
ps
DQ – DQS hold, DQS to rst
DQ to go nonvalid, per access
relative to DQS
tDIPW
TBD
0.35
tCK
37
Data hold skew factor
tQHS
TBD
-
340
-
400
-
450
ps
47
DQ – DQS hold, DQS to rst
DQ to go nonvalid, per access
tQH
TBD
tHP
-
tQHS
tHP
-
tQHS
tHP
-
tQHS
ns
15, 17
Data valid output window
(DVW)
tDVW
TBD
tQH - tDQSQ
ns
15, 17
Data
Strobe
DQS input high pulse width
tDQSH
TBD
0.35
tCK
37
DQS input low pulse width
tDQSL
TBD
0.35
tCK
DQS output access time from
CK/CK#
tDQSCK
TBD
-400
+400
-450
+450
-500
+500
ps
40
DQS falling edge to CK rising
– setup time
tDSS
TBD
0.2
tCK
37
DQS falling edge from CK
rising – hold time
tDSH
TBD
0.2
tCK
37
DQS – DQ skew, DQS to
last DQ valid, per group, per
access
tDQSQ
TBD
240
300
350
ps
15, 17
DQS read preamble
tRPRE
TBD
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
33, 37,
43
NOTE:
AC specication is based on
MICRON components. Other DRAM manufactures specication may be different.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WED3DG6435V75JD1I-QG 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144
W7MG21M32SVB120BNC 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, SMA80
W3E232M16S-250STI 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3EG64128S265D3M 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3EG64128S403JD3S 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
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參數(shù)描述
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