- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄68747 > W9425G6EH-6 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W9425G6EH-6 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 23/54頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W9425G6EH-6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 3 -
Revision A08
11.12 Burst Read Stop (BL = 8) .................................................................................................................45
11.14 Read Interrupted by Precharge (BL = 8) ..........................................................................................46
11.15 Write Interrupted by Write (BL = 2, 4, 8)...........................................................................................47
11.16 Write Interrupted by Read (CL = 2, BL = 8)......................................................................................47
11.17 Write Interrupted by Read (CL = 3, BL = 4)......................................................................................48
11.18 Write Interrupted by Precharge (BL = 8)...........................................................................................48
11.23 Auto Refresh Cycle ..........................................................................................................................51
11.26 Self Refresh Entry and Exit Timing...................................................................................................52
PACKAGE SPECIFICATION .......................................................................................................................53
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9425G6EH-4 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W9864G6GB-6I | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| WE256K32-250G2TMEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TCE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
| WE256K32-300G2TIE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9425G6JB-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA |
| W9425G6JB-5 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ |
| W9425G6JB-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9425G6JB-5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ, IN |
| W9425G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。