參數(shù)資料
型號(hào)： W9425G6EH-6
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 32/54頁(yè)
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代理商： W9425G6EH-6
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 38 -
Revision A08
11.4 Write Timing (Burst Length = 4)
tIS
tIH
tDSH
tDSS
tDSH
tWPRES
tDH
tDS
tDQSS
tDSH
tDSS
Postamble
tWPRE
Preamble
tDQSH
tDQSL
tWPST
DA0
DA1
DA2
DA3
tWPRES
tDS
tDQSS
tDSH
tDSS
Postamble
tWPRE
Preamble
tDQSH
tDQSL
tWPST
tWPRES
tDH
tDS
tDQSS
Postamble
tWPRE
Preamble
tDQSH
tDQSL
tWPST
DA0
DA1
DA2
DA3
tDS
tDH
tCH
tCL
tCK
DQS
Input
(Data)
LDQS
DQ0~7
UDQS
DQ8~15
x4, x8 device
x16 device
ADD
CMD
CLK
WRIT
Col
DA0
DA1
DA2
DA3
DA0
DA1
DA2
DA3
tDH
tDS
DA0
DA1
DA2
DA3
DA0
DA1
DA2
DA3
tIS
tIH
Note: x16 has two DQSs (UDQS for upper byte and LDQS for lower byte). Even if one of the 2 bytes is not used, both UDQS
and LDQS must be toggled.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W9425G6EH-4 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W9864G6GB-6I 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60
WE256K32-250G2TMEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68
WE256K32-200G2TCE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68
WE256K32-300G2TIE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9425G6JB-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA
W9425G6JB-5 TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ
W9425G6JB-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W9425G6JB-5I TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ, IN
W9425G6JH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
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